Agilent Technologies B2201A Instrukcja Obsługi Strona 103

  • Pobierz
  • Dodaj do moich podręczników
  • Drukuj
  • Strona
    / 124
  • Spis treści
  • BOOKMARKI
  • Oceniono. / 5. Na podstawie oceny klientów
Przeglądanie stron 102
Module 13
SPGU Control and Applications
13-17
p
n+
n+
Source
Drain
Gate
Substrate
Icp
SMU
SMU
PGU
or
Oxide
A
A
Charge Pumping
Charge pumping is a type of hot carrier measurement. It provides direct measurement of interface
states and an indication of electron and hole trapping.
The gate of the MOS transistor is connected to a pulse generator. The current (Icp) is caused by the
repetitive recombination of minority carriers with majority carriers at the silicon-silicon oxide
interface.
Przeglądanie stron 102
1 2 ... 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 ... 123 124

Komentarze do niniejszej Instrukcji

Brak uwag